C30 - Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D 9/00) [3]

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); устройства для вышеуказанных целей [3]
Примечание :
(1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее:
- "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы [3];
- "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава [5];
- "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях [5].
(2) В данном подклассе
- получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе C30B 29/00 [3];
- устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе C30B 35/00 [3].